2月4日最新消息，在全球内存价格一路走高的大背景下，中国DRAM厂商的一项定价动作，意外搅动了本就不平静的存储市场。国产DRAM龙头长鑫存储被曝打出极具冲击力的低价牌，令市场多空情绪迅速对立。
相关消息显示，长鑫存储对外释放的方案中，32GB DDR4-3200 ECC内存模组报价低至138美元，相较当前国际市场普遍300～400美元的成交区间，价格几乎“腰斩再腰斩”，折算下来仅相当于主流行情的三分之一左右。这一报价迅速在业内发酵，引发广泛关注。
突如其来的低价策略，也让资本市场情绪急转直下。原本在2月3日早盘出现反弹迹象的内存相关板块，很快承受抛压，市场担忧新一轮价格战或将重演。
从个股表现来看，DRAM相关厂商首当其冲。华邦电、南亚科当日股价明显走弱，跌幅分别达到9.05%和5.61%。与此同时，群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻、华东等存储与模组厂商同步回落，多数个股跌幅超过半根停板，板块整体情绪明显转冷。
不过，市场的剧烈波动并非单一事件所致，而是全球存储产业结构性变化的集中反映。随着AI算力需求持续放大，服务器、数据中心等应用对内存与存储的需求快速攀升，全球存储市场已进入新一轮上行周期。早在2025年底，多类存储产品价格便出现显著上涨，甚至对部分电子产品2026年的生产与定价节奏造成影响。
在这一轮周期中，中国存储厂商正明显加快扩张步伐，试图在关键窗口期抢占更多市场空间。作为其中动作最为激进的企业之一，长鑫存储已明确推进上海新厂区建设计划。
按照规划，上海厂区整体规模预计达到合肥总部的2至3倍，产品方向将重点覆盖服务器、PC及车用电子等领域所需的DRAM。设备装机预计于2026年下半年陆续启动，并在2027年进入正式量产阶段，届时长鑫存储的整体供给能力有望实现大幅跃升。
另一家国产存储核心厂商长江存储同样在加速布局。其位于武汉的三期项目，原本规划于2027年实现量产，目前已有望提前至2026年下半年启动。更值得注意的是，长江存储正调整产能配置方案，计划将新厂约一半产能引入DRAM产品线，推动NAND Flash与DRAM双线并进的发展策略，进一步完善产品结构。
针对中国存储厂商的扩张趋势，Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析指出，在全球内存供应持续偏紧的阶段性环境下，新进入者和扩张中的厂商反而迎来了难得的发展窗口。叠加中国层面的政策支持，越来越多客户开始主动寻求多元化供应来源。
在这一趋势推动下，长鑫存储、长江存储等中国厂商不仅获得了新的成长动力，也正在逐步改变全球存储产业的竞争版图。
